Samsung, 3nm Çip Üretimine Başladı

Teknolojik cihazların en temel yapıtaşı olan çiplerin içinde bulunan milyonlarca transistörün birbirine olan uzaklığı ve bu transistörlerin sayısı, çipin performansını direkt etkiliyor. Dolayısıyla teknoloji dünyası da çipteki transistörler arasındaki mesafeyi azaltmaya ve transistörlerin sayısını artırmaya devam ediyor.

Günümüzde transistörler arasındaki mesafe artık yalnızca 3 nanometreye (nm) kadar düşmeye başlamışken bugün Samsung’dan mühim bir açıklama geldi. Samsung’un yarı iletken üretim departmanı Foundry, yeni duyurusunda Cenup Kore’deki Hwaseong fabrikasında 3 nm yarı iletken çiplerin üretilmeye başladığını açıkladı.

%23 daha iyi performans sunulacak:

Samsung, yeni 3 nm çiplerinde mühim bir değişikliğe de imza attı. Daha ilkin transistör mimarisi olarak FinFET’i kullanan şirket, artık GAA (Gate All Around) mimarisini benimseyeceğini paylaştı. Şirket, mimarideki bu değişimle güç verimliliğinin de artacağını bildirdi.

Samsung’un açıklamasında gore yeni 3 nm çipler, bundan önceki nesil olan 5 nm çiplere gore %23 daha iyi performans ve %45 daha azca güç tüketimi sunacak. Bununla beraber şirket, ikinci nesil 3 nm çiplerinde de %50 güç verimliliği ve %30 daha iyi performans sunacağını paylaştı. Samsung, yeni üretim sürecini Siemens ve Cadence benzer biçimde tüm müşterilerine sunacak.

Samsung, 3 nm üretim sürecini hayata geçiren ilk çip üreticisi oldu.

Ayrıca akıllı telefondan beyaz eşyaya tüm Samsung ürünlerini incelemek ya da satın almak için buraya tıklayabilirsiniz.